[发明专利]一种钽酸锂黑片的制作方法在审
| 申请号： | 201611109975.3 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN106544735A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 龙勇;石自彬;于明晓;李和新 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B33/02 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司50212 | 代理人： | 李海华 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种钽酸锂黑片的制作方法，1）将第Ⅳ族非金属元素粉末和碳酸盐粉末按质量比进行称料并混合均匀，得到包埋料；2）将待处理的钽酸锂晶片放入坩埚容器中，加入包埋料，将晶片完全包埋，然后将坩埚放入热处理炉中；3）在真空或惰性或还原性流动气氛下，将钽酸锂晶片加热至保温温度；4）在保温温度下保温10‑40小时；5）保温结束后，降至室温，取出钽酸锂晶片即可，黑片制作完成。本方法在不影响钽酸锂压电性能以及单畴性的前提下大幅度降低了晶片的电阻率，减弱甚至消除晶片自身具有的热释电效应，增强了可见光区的吸收能力，提高器件制作过程中光刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钽酸锂黑片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种钽酸锂黑片的制作方法，其特征在于：步骤如下，1）称料：将第Ⅳ族非金属元素粉末和碳酸盐粉末按质量比进行称料并混合均匀，得到包埋料；2）装片：将待处理的钽酸锂晶片放入坩埚容器中，加入预先混合均匀的包埋料，将晶片完全包埋其中，然后将坩埚放入热处理炉中；3）升温：在真空或惰性或还原性流动气氛下，将包埋其中的钽酸锂晶片从室温下加热至保温温度，保温温度为400‑600℃；4）保温：在保温温度下保温10‑40小时；5）冷却：保温结束后，降至室温，取出钽酸锂晶片即可，黑片制作完成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所，未经中国电子科技集团公司第二十六研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611109975.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
