[发明专利]二维材料柔性衬底结构、焦平面光探测器阵列及制作方法在审
| 申请号： | 201611111160.9 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108155254A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王庶民 | 申请（专利权）人： | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二维材料柔性衬底结构、焦平面光探测器阵列及制作方法，所述二维材料柔性衬底结构包括：支撑衬底；二维材料层，位于所述支撑衬底表面；图形化柔性衬底，位于所述二维材料层表面；所述图形化柔性衬底为包括若干个间隔分布的图形单元。本发明的二维材料柔性衬底结构将图形化柔性衬底与二维材料层相结合，图形化柔性衬底与二维材料层界面的范德瓦尔斯键大大削弱了上下原子之间的吸引力，界面处形成的范德瓦尔斯力的强度远远小于共价键键能，图形化柔性衬底可以完全自我调节应变吸纳和释放应力，可以最大程度消除或降低穿透位错等晶格结构缺陷，具有很大的绝对柔性度。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 衬底 图形化 衬底结构 光探测器阵列 焦平面 范德瓦尔斯力 范德瓦尔斯 衬底表面 穿透位错 间隔分布 晶格结构 图形单元 自我调节 共价键 界面处 柔性度 键能 支撑 制作 释放 削弱 | ||
【主权项】：
一种二维材料柔性衬底结构，其特征在于，包括：支撑衬底；二维材料层，位于所述支撑衬底表面；图形化柔性衬底，位于所述二维材料层表面；所述图形化柔性衬底为包括若干个间隔分布的图形单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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