[发明专利]一种离子源束流诊断用发射度仪探头

摘要

本发明属于同位素电磁分离器技术领域，具体涉及一种离子源束流诊断用发射度仪探头，设置在同位素电磁分离器的离子源束流诊断用发射度仪上，同位素电磁分离器包括设置在真空环境中、设有引出电极的离子源，离子源从引出电极的引出缝中射出离子束。该探头包括上下平行设置的、用于静电偏转的低电位极板、高电位极板，高电位极板设置在低电位极板上方；设置在低电位极板、高电位极板两端的前缝口和后缝口，前缝口靠近离子源的引出缝；还包括设置在后缝口上的法拉第筒；离子束能够从前缝口进入低电位极板、高电位极板之间经过静电偏转后，从后缝口进入法拉第筒。该探头能够测量大张角非轴对称直流束的发射度。

主权项

一种离子源束流诊断用发射度仪探头，设置在离子源束流诊断用发射度仪上，所述离子源束流诊断用发射度仪设置在同位素电磁分离器上，所述同位素电磁分离器包括设置在真空环境中、设有引出电极的离子源，所述离子源从所述引出电极的引出缝中射出离子束，其特征是：所述同位素电磁分离器用于对铷元素Rb进行电磁分离，得到85Rb、87Rb两种同位素，所述离子束的束流能量为30keV，最大张角达到±14.5度，流强≤100mA；所述离子源束流诊断用发射度仪探头包括上下平行设置的、用于静电偏转的低电位极板(2)、高电位极板(3)，所述高电位极板(3)设置在所述低电位极板(2)上方；设置在所述低电位极板(2)、高电位极板(3)两端的前缝口(7)和后缝口(4)，所述前缝口(7)靠近所述离子源的所述引出缝；还包括设置在所述后缝口(4)上的法拉第筒(6)；所述离子束能够从所述前缝口(7)进入所述低电位极板(2)、高电位极板(3)之间经过静电偏转后，从所述后缝口(4)进入所述法拉第筒(6)。