[发明专利]一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法

摘要

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法。该方法包括：在电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中，在设定的第一工艺环境下，采用设定的射频功率，对碲镉汞材料进行刻蚀，得到接触孔；在ICP的工艺腔室中，在设定的第二工艺环境下，采用零射频，对接触孔处理预设时间。借助于本发明的技术方案，可以解决单步干法刻蚀工艺后P型接触孔反型严重问题，避免湿法腐蚀工艺在小尺寸接触孔上的各向异性差、钻蚀严重、腐蚀深度重复性差和均匀性不好等问题，有效的降低了刻蚀引入的表面损伤，同时又能实现较高的刻蚀速率和较好的刻蚀孔形貌。

主权项

1.一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：在电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中，在设定的第一工艺环境下，采用设定的射频功率，对所述碲镉汞材料进行刻蚀，得到接触孔；在所述ICP的工艺腔室中，在设定的第二工艺环境下，采用零射频，对所述接触孔处理预设时间；在所述ICP的工艺腔室中，在设定的第二工艺环境下，采用零射频，对所述接触孔处理预设时间包括以下步骤：按照设定的第二工作压力在所述电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中通入第二工艺气体，设定ICP的功率，利用所述第二工艺气体对所述接触孔处理预设时间；所述第二工艺气体，按体积比CH₄：H₂：Ar＝1：3：4；所述第二工作压力为0.5～1.5mTorr。