[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法

摘要

本申请提供一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法，在得到沟槽后，形成第一栅氧层，填充第一多晶硅后，去掉部分第一多晶硅，仅保留沟槽底部的第一多晶硅，并去除沟槽侧壁上的第一栅氧层；再在所述沟槽内形成第二栅氧层，在第二栅氧层上再形成第二多晶硅层，第二多晶硅层在后续工艺中形成第二栅极，其中，第一栅氧层的厚度大于或等于所述第二栅氧层的厚度。由于本发明中在沟槽底部先形成第一栅氧层，再在沟槽侧壁上形成第二栅氧层，即将沟槽底部的栅氧层和沟槽侧壁上的栅氧层分离，通过两次栅氧工艺形成，使得第一栅氧层的厚度可以大于或等于第二栅氧层的厚度，从而对沟槽底部的栅氧层厚度进行优化，进而避免沟槽栅IGBT器件的栅极在沟槽底部被击穿。

主权项

一种沟槽栅IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有开口位于所述半导体衬底表面的沟槽，所述沟槽包括垂直于所述半导体表面的侧壁和与所述沟槽开口相对的底部；形成第一栅氧层，所述第一栅氧层覆盖所述沟槽的侧壁和底部；填充第一掺杂的第一多晶硅层，以填满所述沟槽；移除所述第一多晶硅层，保留所述沟槽底部的所述第一多晶硅层，所述第一多晶硅层形成第一栅极；移除所述沟槽侧壁上的所述第一栅氧层；形成第二栅氧层，所述第二栅氧层覆盖所述第一栅氧层、所述第一栅极和所述沟槽的侧壁；在所述沟槽内填充第二掺杂的第二多晶硅层，以填满所述沟槽；刻蚀所述第二多晶硅层形成第二栅极；其中，所述第一栅氧层的厚度大于或等于所述第二栅氧层的厚度。