[发明专利]具有渐变微通道高度的微流控芯片、其制备模板及方法有效
| 申请号： | 201611114889.1 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108160124B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李春林;刘中民;解华;魏迎旭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 王惠 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有渐变高度微通道结构的微流控芯片及其制备方法，该微流控芯片用于大规模微纳型均一液滴及微球材料的制备，所述微流控芯片内的微通道内中至少存在一个位置，所述位置的微通道的高度高于沿所述微通道内部流体流动方向下游的某一处的微通道的高度。通过利用微电铸的边缘效应，制备得到微通道高度从外围往中心逐渐降低的金属基模版，并复制模版结构到微流控芯片中，得到渐变高度微通道结构的微流控芯片，从而实现微纳米液滴规模制备。该方法可实现高效可控规模制备均一的微纳米液滴及微球。 | ||
| 搜索关键词： | 微流控芯片 微通道 制备 渐变 液滴 微通道结构 规模制备 微纳米 均一 内部流体流动 边缘效应 模版结构 微球材料 逐渐降低 金属基 微电铸 可控 模版 微球 复制 外围 申请 | ||
【主权项】：
1.一种具有渐变微通道高度的微流控芯片的制备方法，其特征在于，所述微流控芯片内的微通道内中至少存在一个位置，所述位置的微通道的高度高于沿所述微通道内部流体流动方向下游的某一处的微通道的高度；所述具有渐变微通道高度的微流控芯片的制备方法包括如下步骤：(1)通过微电铸制备微通道高度沿所述微通道内部流体流动方向降低的金属基模板；(2)采用热压制或者浇铸将步骤(1)得到的金属基模版的微结构复制到芯片基材上；(3)在步骤(2)得到的芯片基材上的微通道进出口打孔；(4)封接芯片制得所述微流控芯片；制备所述金属基模板的方法，采用微电铸制备所述金属基模版，包括如下步骤：(a)将金属板抛光，清洗烘干后涂覆SU‑8光刻胶膜；(b)采用紫外曝光在SU‑8胶膜上曝光微结构，所述微结构含有沿所述金属板边缘到中央的微通道结构；(c)显影后在SU‑8胶膜上获得所述微结构；(d)通过镍电镀在微观结构内沉积镍金属；(e)将SU‑8胶膜移除得到金属基模版；所述的微电铸过程中利用电镀边缘效应获得具有边缘电镀层高度高于中心电镀层高度的所述微结构的实施金属基模版。
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