[发明专利]一种氧化镍纳米颗粒增强的气体传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611115184.1 申请日: 2016-12-07
公开(公告)号: CN106546633A 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 文国栋 申请(专利权)人: 成都聚智工业设计有限公司
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都市锦江*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种氧化镍纳米颗粒增强的石墨烯/氧化镁锡气体传感器及其制备方法,该石墨烯/氧化镁锡气体传感器自下而上依次有衬底、导电镀膜层、氧化镁锡层、石墨烯层及氧化镍纳米颗粒层,所述的气体传感器还设有第一电极和第二电极,第一电极设置在导电镀膜层上,第二电极设置在石墨烯层上。其制备方法如下先在衬底上沉积导电镀膜层,再沉积氧化镁锡层;然后将石墨烯转移至氧化镁锡层上;在石墨烯层上制备氧化镍纳米颗粒层;最后在石墨烯层及导电镀膜层上分别制作电极,获得气体传感器,本发明的氧化镍纳米颗粒增强的石墨烯/氧化镁锡气体传感器利用氧化镍纳米颗粒引入的掺杂效应来获得具有高转化效率的石墨烯/氧化镁锡气体传感器。
搜索关键词: 一种 氧化 纳米 颗粒 增强 气体 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种氧化镍纳米颗粒增强的石墨烯/氧化镁锡气体传感器,其特征在于自下而上依次有衬底(1)、导电镀膜层(2)、氧化镁锡层(3)、石墨烯层(4)及氧化镍纳米颗粒层(6),所述的气体传感器还设有第一电极(5)和第二电极(7),第一电极(5)设置在导电镀膜层(2)上,第二电极(7)设置在石墨烯层(4)上。
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