[发明专利]一种硅的提纯方法

摘要

本发明的目的是一种硅的提纯方法，其特征在于，该提纯的工艺包括以下步骤(1)硅料表面清理，将待提纯的硅料的表面通过碳酸氢钠溶液进行清洗，然后放置在阴凉通风处进行表面干燥；(2)硅料加热，将待提纯的置于封闭的提纯箱内后抽成真空；(3)硅料提纯，将硅料熔体的表面温度达到830—850℃时，在通过析出进行提纯，然后将析出的高纯度的硅料结晶进行进行缓慢加热，且加热的速度随结晶量的增加进行调整，使结晶成型并且进行收集；(4)冷却回温处理，以提高硅的纯度，以更好的满足太阳能电池板对硅的纯度要求，同时又能够降低提纯的成本，提高太阳能发电的经济效益。

主权项

一种硅的提纯方法，其特征在于，该提纯的工艺包括以下步骤：(1)硅料表面清理，将待提纯的硅料的表面通过碳酸氢钠溶液进行清洗，然后放置在阴凉通风处进行表面干燥，且阴凉干燥的时间设为1—1.5h。(2)硅料加热，将待提纯的置于封闭的提纯箱内后抽成真空，当提纯箱内的气压降低到10‑2Pa时开始对硅料进行加热，直至加热到硅料融化成硅料熔体。(3)硅料提纯，将硅料熔体的表面温度达到830—850℃时，且硅料内部的温度达到820℃，然后保持恒温状态，在通过析出进行提纯，然后将析出的高纯度的硅料结晶进行进行缓慢加热，且加热的速度随结晶量的增加进行调整，使结晶成型并且进行收集。(4)冷却回温处理，将提纯完成后的硅料进行冷却处理，在冷却时分多次进行多级冷却。