[发明专利]一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件有效
| 申请号： | 201611115868.1 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106784304B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 俞振中;马可军;郑律 | 申请（专利权）人： | 浙江森尼克半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李萍 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的温度效应，性能稳定。一种掺杂型InSb薄膜，InSb薄膜内掺杂有Te，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。一种掺杂型InSb薄膜的制备方法，采用In源、Sb源、In‑Te合金源三个蒸发源，热蒸发制得所述掺杂型InSb薄膜，所述In‑Te合金中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 insb 薄膜 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂型InSb薄膜的制备方法，其特征在于：采用In源、Sb源、In‑Te合金源三个蒸发源，热蒸发制得所述掺杂型InSb薄膜；其中，所述In‑Te合金中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3，所述In源的温度为850~950℃，所述Sb源的温度为500~600摄氏度，所述In‑Te合金源的温度为550~650摄氏度，通过测厚仪控制In源、Sb源以及In‑Te合金源的蒸发速率。
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