[发明专利]一种开方后硅块的截断方法在审
| 申请号： | 201611115923.7 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106671301A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 俞豪威;梁庭卫 | 申请（专利权）人： | 安徽爱森能源有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;H01L31/18;H01L21/78 |
| 代理公司： | 六安众信知识产权代理事务所(普通合伙)34123 | 代理人： | 熊伟 |
| 地址： | 237200 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的目的是一种开方后硅块的截断方法，该硅块的截断方法包括以下步骤：(1)硅块的选取，(2)硅块顶部截断加工，将硅块的顶部以少子寿命为0.5μs画线，且将少子寿命画线一下的硅块通过切刀切除，(3)硅块底部截断加工，(4)将顶部和底部切割完成后的硅块集中收集，且进行密封真空装袋，提高切割的效率，提高切割的长度的均一，同时能够提高截断面表面的光滑性，避免切断面出现气泡和裂痕，提高硅块的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开方 后硅块 截断 方法 | ||
【主权项】：
一种开方后硅块的截断方法，其特征在于，该硅块的截断方法包括以下步骤：(1)硅块的选取，挑选检测完成后，且达到合格标准的硅块，然后对表面进行清洗，以备后续加工。(2)硅块顶部截断加工，将准备好的硅块的顶部以少子寿命为0.5μs画线，然后将少子寿命画线一下的硅块通过切刀切除，并且获得顶皮料。(3)硅块底部截断加工，将步骤2中切除顶部的硅块的底部以少子寿命为0.5μs画线，然后将少子寿命画线意以外的切除，然后获得切除的底料。(4)将顶部和底部切割完成后的硅块集中收集，且进行密封真空装袋。
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