[发明专利]一种开方后硅块的检测方法在审
| 申请号： | 201611115947.2 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106853443A | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 俞豪威;梁庭卫 | 申请（专利权）人： | 安徽爱森能源有限公司 |
| 主分类号： | B07B13/04 | 分类号： | B07B13/04;B07C5/344 |
| 代理公司： | 六安众信知识产权代理事务所(普通合伙)34123 | 代理人： | 熊伟 |
| 地址： | 237200 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的目的是一种开方后硅块的检测方法，该硅块的检测方法包括以下步骤(1)硅块材料初步筛选，(2)然后对硅块的表面进行少子寿命测试，(3)硅块材料精筛，通过对小锭的均值进行范围筛选，将不合格的硅块小锭进行去除，能够对硅块的表面进行检测，将不合格的硅块进行筛除，提高硅块的合格率，降低硅板加工损坏率，降低生产加工的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开方 后硅块 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种开方后硅块的检测方法，其特征在于：该硅块的检测方法包括以下步骤：(1)硅块材料初步筛选，将开方后的小方锭的筛选的边宽尺寸为155—157.5mm，将不合尺寸的硅块筛除，以备后续检测。(2)然后对硅块的表面进行少子寿命测试，且硅块的表面平整度<0.5mm，测试时，使用WT2000系列测试仪测试非坩埚面，先设置扫描宽度2mm，、寻找9个测试点，然后在硅块的顶部和底部以少子寿命为0.5μs画线，然后记录测试小方锭的少子寿命的平均值。(3)硅块材料精筛，通过对小锭的均值进行范围筛选，将不合格的硅块小锭进行去除，其中小锭电阻率ρ>0.4ohm.cm，少子寿命局部τ≥0.5μs。
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