[发明专利]一种提高玉米自交系耐阴能力的方法在审

专利信息
申请号: 201611116062.4 申请日: 2016-12-07
公开(公告)号: CN106577255A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 袁刘正;柳家友;王会强;付家锋 申请(专利权)人: 漯河市农业科学院
主分类号: A01H1/02 分类号: A01H1/02;A01H1/04
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司41125 代理人: 张志军
地址: 462300*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种提高玉米自交系耐阴能力方法,属于玉米育种技术领域,具体说利用耐阴能力强的自交系B(为父本)与耐阴能力弱的自交系A(为母本)组配杂交组合A×B,在人工模拟遮阴的条件下,采用A作为回交亲本,回交2代后,在人工模拟遮阴的条件下选择雌雄间隔期较短的,并且与自交系A相似单株连续自交3‑4代,即可提高自交系A的耐阴能力。利用本发明的方法改良耐阴能力弱的自交系时间短,成本低,效率高,克服选育出的玉米新品种不耐阴的缺点,加快玉米耐阴品种选育,增强玉米新品种抵御阴雨寡照灾害的能力,缓解灾害损失。
搜索关键词: 一种 提高 玉米 自交系 能力 方法
【主权项】:
一种提高玉米自交系耐阴能力的方法,其特征在于步骤如下:在遮阴棚内种植杂交组合A×B,以耐阴能力弱的自交系A为回交亲本,自交系A种植在自然光照下,自交系A要提前种植5~7天,保证自交系A和组合A×B花期相遇,回交2代后在遮阴棚内种植回交2代的材料,大喇叭口期进行人工模拟遮阴,遮阴至散粉后10天结束,在遮阴期间选择雌雄间隔期较短的,并且与自交系A相似单株连续自交3‑4代,即可提高自交系A的耐阴能力。
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