[发明专利]直流到直流转换器以及故障保护方法

摘要

本申请涉及电子技术领域。具体地，本申请提供了直流到直流转换器以及故障保护方法。所述故障保护方法由直流到直流转换器执行。所述方法包括：控制器通过控制端口检测upper MOSFET是否发生故障；当所述控制器通过所述控制端口检测到所述upper MOSFET发生故障时，所述控制器通过输出端关闭protecting MOSFET。上述技术方案有助于降低直流到直流转换器的输出端所连接的负载发生损坏的可能性。

主权项

1.一种直流到直流转换器，其特征在于，所述直流到直流转换器包括控制器、上部金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、下部MOSFET、保护MOSFET以及电感；所述控制器的第一输出端与所述上部MOSFET的栅极耦合；所述控制器的第二输出端与所述下部MOSFET的栅极耦合；所述控制器的第三输出端与所述保护MOSFET的栅极耦合；所述下部MOSFET的源极与接地电位耦合；所述下部MOSFET的漏极、所述上部MOSFET的源极、所述电感的一端与所述控制器的控制端口耦合；所述上部MOSFET的漏极与所述保护MOSFET的源极耦合；所述保护MOSFET的漏极和第一电压电平耦合；所述电感的另一端用于提供第二电压电平，所述第二电压电平的值小于所述第一电压电平的值；所述控制器用于通过利用所述第一输出端控制所述上部MOSFET，以及通过利用所述第二输出端控制所述下部MOSFET，驱动所述电感提供所述第二电压电平；所述控制器用于通过所述控制端口检测所述上部MOSFET是否发生故障；当所述控制器通过所述控制端口检测到所述上部MOSFET发生故障时，所述控制器用于通过所述第三输出端关闭所述保护MOSFET；所述控制器通过所述控制端口检测所述上部MOSFET是否发生故障包括：所述控制器确定双MOSFET的占空比，所述双MOSFET包括所述上部MOSFET和所述下部MOSFET；当所述双MOSFET的占空比大于阈值时，所述控制器确定所述上部MOSFET发生故障，所述阈值等于或者大于所述第二电压电平与所述第一电压电平的商。