[发明专利]鳍式场效应晶体管结构及其制造方法

摘要

描述了包括衬底、鳍、绝缘物、至少一个栅极堆叠件和应变材料部分的一种鳍式场效应晶体管。绝缘物设置在衬底的沟槽中和鳍之间。鳍的上部高于绝缘物的顶面且上部具有基本上垂直的轮廓，而鳍的下部低于绝缘物的顶面且下部具有锥形轮廓。至少一个栅极堆叠件设置在鳍上方和在绝缘物上。应变材料部分设置在至少一个栅极堆叠件的相对两侧上。本发明的实施例还涉及场效应晶体管结构及其制造方法。

主权项

一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底，具有沟槽和在所述沟槽之间的鳍，其中，所述鳍包括上部和下部；绝缘物，设置在所述衬底的所述沟槽中和所述鳍之间，其中，所述鳍的所述上部高于所述绝缘物的顶面且所述上部具有基本上垂直的轮廓，而所述鳍的所述下部低于所述绝缘物的所述顶面且所述下部具有锥形轮廓；至少一个栅极堆叠件，设置在所述鳍上方以及设置在所述绝缘物上；以及应变材料部分，设置在所述至少一个栅极堆叠件的相对两侧上。