[发明专利]一种基于WS2的可饱和吸收体器件及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201611116292.0 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106684676A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 满宝元;李振;姜守振;张超;刘玫 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | H01S3/067 | 分类号： | H01S3/067;H01S3/098 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司37221 | 代理人： | 张晓鹏 |
| 地址： | 250014 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于WS2的可饱和吸收体器件及其制备方法与应用，将四硫代钨酸铵溶液涂覆在光纤连接头的表面，后利用热分解四硫代钨酸铵的方法，在FC头的表面制备WS2，得到WS2/FC头饱和吸收体器件。将过渡金属硫化物材料(WS2)直接生长在FC头端面，WS2与FC头表面紧密接触。这种方法不但继承了过渡金属硫化物材料饱和吸收体的优点，如高性能、低制作成本等，而且可以避免转移过程导致的损伤，减少光损耗，提高抗光伤阈值，提高脉冲激光输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ws2 饱和 吸收体 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于WS2的可饱和吸收体器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：首先将FC头的不耐高温的金属套取下，剩下耐高温的陶瓷探针；将四硫代钨酸铵溶液涂覆在陶瓷探针的表面，利用热分解四硫代钨酸铵的方法，在FC头的表面制备WS2，热分解时，在反应体系中通入氢气，得到WS2/FC头饱和吸收体器件。
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