[发明专利]一种芯片封装结构及其制备方法在审
申请号: | 201611116575.5 | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN106531642A | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 郭学平;郝虎;于中尧 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种芯片封装结构及其制备方法,制备方法包括提供一载板,在载板的上下表面制备双层剥离结构,在双层剥离结构上远离载板的一侧制备重布线层,在重布线层以及双层剥离结构表面制备第一介质层,在第一介质层中制备至少一个盲孔,在盲孔内填充导电材料,提供一芯片,将芯片倒装在第一介质层上,在芯片周围制备第二介质层,第二介质层覆盖第一介质层且包覆芯片,将双层剥离结构进行剥离,刻蚀双层剥离结构的上层结构,露出重布线层和第一介质层,在重布线层上远离第一介质层的一侧制备焊球,焊球与重布线层电连接。综上,制备方法简单、操作性强,成本低,可以避免芯片损伤,同时在载板两侧同时进行制备工艺开展,效率高,避免翘曲。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片封装结构的制备方法,其特征在于,包括:提供一载板,分别在所述载板的上、下表面制备双层剥离结构,所述双层剥离结构包括上层结构和下层结构;分别在所述双层剥离结构上远离所述载板的一侧制备重布线层;在所述重布线层以及所述双层剥离结构表面制备第一介质层,所述第一介质层覆盖所述重布线层以及所述双层剥离结构;在所述第一介质层中制备至少一个盲孔,所述盲孔与所述重布线层对应设置,且所述盲孔贯穿所述第一介质层;在所述盲孔内填充导电材料;提供一芯片,所述芯片包括有源面、位于所述有源面上的至少一个焊盘以及与所述焊盘相连的电连接凸起,将所述芯片倒装在所述第一介质层上,所述电连接凸起与所述盲孔对应;在所述芯片周围制备第二介质层,所述第二介质层覆盖所述第一介质层且包覆所述芯片;将所述双层剥离结构的上层结构和下层结构进行剥离,得到两个芯片封装结构,所述上层结构位于所述芯片封装结构上,所述下层结构位于所述载板上;刻蚀所述上层结构,露出所述重布线层和所述第一介质层;在所述重布线层上远离所述第一介质层的一侧制备焊球,所述焊球与所述重布线层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造