[发明专利]一种减少晶圆离子损伤方法及离子发生器在审

专利信息
申请号: 201611116738.X 申请日: 2016-12-07
公开(公告)号: CN106783539A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 龙俊舟;封铁柱;杨弘;马山州 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01J37/34
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 俞涤炯
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种减少晶圆离子损伤方法及离子发生器,应用于射频溅射的离子发生器,离子发生器包括一用于射频辐射的线圈,其中将线圈的两端接地;线圈提供一馈入点,馈入点设置于线圈的两端之间;提供一射频电源,连接馈入点;离子发生器的线圈于接通射频电源后,使生成的离子均匀的轰击晶圆的表面,以去除晶圆表面的氧化物。其技术方案的有益效果在于,可通过离子发射器将生成的离子均匀的发射于晶圆的氧化物表面,在氧化物去除的同时,还可有效的避免因为离子于射入晶圆表面不均进而造成晶圆中的离子损伤的缺陷。
搜索关键词: 一种 减少 离子 损伤 方法 发生器
【主权项】:
一种减少晶圆离子损伤方法,应用于射频溅射的离子发生器,所述离子发生器包括一用于射频辐射的线圈,其特征在于:将所述线圈的两端接地;所述线圈提供一馈入点,所述馈入点设置于所述线圈的两端之间;提供一射频电源,连接所述馈入点;所述离子发生器的线圈于接通所述射频电源后,使生成的离子均匀的轰击所述晶圆的表面,以去除所述晶圆表面的氧化物。
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