[发明专利]一种花状五氧化二铌材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种花状五氧化二铌材料的制备方法，包括以下步骤：首先将五氯化铌溶于去离子水中；接着加入氢氟酸；然后将所得溶液装入高压反应釜加热反应；最后冷却后经洗涤、干燥、焙烧即得花状五氧化二铌材料。本发明还公开了一种由上述制备方法制备得到的花状五氧化二铌材料。本发明制备的花状五氧化二铌形貌均匀规则，且具有较好的分散性；本发明制备的花状Nb₂O₅是由厚度为10‑30纳米的二维纳米片组装形成的，花的尺寸约为1‑3微米，在光催化、敏化太阳能电池、传感器和储能等领域具有潜在的应用价值；本发明合成工艺简单，反应条件可控性强，适于工业化生产。

主权项

1.一种花状五氧化二铌材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)、在搅拌条件下将五氯化铌溶于去离子水中，其中铌离子的浓度为0.045‑0.055mol/L；步骤2)、向上述水溶液中加入氢氟酸，继续搅拌0.1‑24小时，所述步骤2)中铌离子与氟离子的摩尔比为1:0.2‑1:0.6；步骤3)、将步骤2)所得溶液转移至高压不锈钢反应釜中，置于恒温干燥箱中加热反应；步骤4)、将步骤3)所得反应沉淀物离心，分别用乙醇和去离子水洗涤数次，然后置于真空干燥箱中干燥；步骤5)、将步骤4)所得粉体置于管式炉中焙烧，即得花状五氧化二铌材料；所述花状五氧化二铌材料是由大量五氧化二铌纳米片组装形成的微纳米花，微纳米花的尺寸为1‑3微米，纳米片的的厚度为10‑30纳米；所述步骤5)中的焙烧温度为600‑700℃，焙烧时间为0.5‑1.5小时。