[发明专利]一种三值灵敏放大器及其实现的SRAM阵列

摘要

本发明公开了一种三值灵敏放大器及其实现的SRAM阵列，三值灵敏放大器包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管、第十一CNFET管、第十二CNFET管和第十三CNFET管，SRAM阵列包括三值灵敏放大器、三值存储阵列、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第十四CNFET管、第十五CNFET管、第十六CNFET管、第十七CNFET管、第十八CNFET管和第十九CNFET管；优点是功耗较低、延时较小、且芯片成品率较高。

主权项

1.一种三值灵敏放大器，其特征在于包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管、第十一CNFET管、第十二CNFET管和第十三CNFET管；所述的第一CNFET管、所述的第二CNFET管、所述的第三CNFET管、所述的第六CNFET管、所述的第十一CNFET管、所述的第十二CNFET管和所述的第十三CNFET管均为P型CNFET管，所述的第四CNFET管、所述的第五CNFET管、所述的第七CNFET管、所述的第八CNFET管、所述的第九CNFET管和所述的第十CNFET管均为N型CNFET管；所述的第一CNFET管的源极、所述的第二CNFET管的源极、所述的第三CNFET管的源极、所述的第五CNFET管的栅极、所述的第六CNFET管的源极和所述的第八CNFET管的栅极连接且其连接端接入第一电源；所述的第一CNFET管的栅极、所述的第二CNFET管的栅极和所述的第十三CNFET管的栅极连接且其连接端为所述的三值灵敏放大器的使能信号输入端，所述的第一CNFET管的漏极、所述的第三CNFET管的栅极、所述的第四CNFET管的栅极、所述的第六CNFET管的漏极、所述的第七CNFET管的漏极、所述的第八CNFET管的源极和所述的第十三CNFET管的漏极连接且其连接端为所述的三值灵敏放大器的输出端，所述的第二CNFET管的漏极、所述的第三CNFET管的漏极、所述的第四CNFET管的漏极、所述的第五CNFET管的源极、所述的第六CNFET管的栅极、所述的第七CNFET管的栅极和所述的第十三CNFET管的源极连接且其连接端为所述的三值灵敏放大器的反相输出端，所述的第四CNFET管的源极和所述的第九CNFET管的漏极连接，所述的第五CNFET管的漏极和所述的第八CNFET管的漏极连接且其连接端接入第二电源，所述的第二电源的电压为所述的第一电源的电压的一半，所述的第七CNFET管的源极和所述的第十CNFET管的漏极连接，所述的第九CNFET管的源极、所述的第十CNFET管的源极、所述的第十一CNFET管的栅极和所述的第十二CNFET管的栅极连接且其连接端为所述的三值灵敏放大器的反相使能信号输入端，所述的第九CNFET管的栅极和所述的第十一CNFET管的漏极连接，所述的第十一CNFET管的源极为所述的三值灵敏放大器的输入端，所述的第十CNFET管的栅极和所述的第十二CNFET管的漏极连接，所述的第十二CNFET管的源极为所述的三值灵敏放大器的反相输入端。