[发明专利]半导体装置制造方法和半导体晶片

摘要

本公开涉及半导体装置制造方法和半导体晶片。半导体装置制造方法提高了制造半导体装置的产率。提供了用于覆盖多个接合焊盘的绝缘膜、在绝缘膜上的第一保护膜和在第一保护膜上的第二保护膜。在半导体芯片中，多个电极层经由形成在绝缘膜中的第一开口和形成在第一保护膜中的第二开口电耦接到接合焊盘中的每个。多个突起电极经由形成在第二保护膜中的第三开口电耦接到电极层中的每个。在伪芯片中，第二开口形成在第一保护膜中，且第三开口形成在第二保护膜中。在与第三开口重合的第二开口的底部处暴露绝缘膜。保护带被施加到主平面以覆盖突起电极。

主权项

一种半导体装置制造方法，包括以下步骤：(a)制备半导体晶片，所述半导体晶片具有主平面、围绕所述主平面的圆周边缘、形成在所述主平面上并包括半导体元件的多个第一芯片、以及围绕所述第一芯片并与所述圆周边缘邻接的多个第二芯片，所述第一芯片中的每个具有形成在其中的多个接合焊盘；(b)在所述主平面上形成绝缘膜；(c)在所述第一芯片的绝缘膜中形成多个第一开口以在所述第一开口的底部处暴露所述接合焊盘；(d)在所述主平面上形成第一保护膜；(e)以如下方式在所述第一芯片和所述第二芯片的第一保护膜中形成多个第二开口：在所述第一芯片的平面图中与所述第二开口重合的所述第一开口的底部处暴露所述接合焊盘，并且在所述第二芯片的所述第二开口的底部处暴露所述绝缘膜；(f)形成经由所述第一开口和所述第二开口电耦接到所述接合焊盘中的每个的多个电极层；(g)在所述主平面上形成第二保护膜；(h)以如下方式在所述第一芯片和所述第二芯片的第二保护膜中形成多个第三开口：在所述第一芯片的所述第三开口的底部处暴露所述电极层，并且在所述第二芯片的平面图中与所述第三开口重合的所述第二开口的底部处暴露所述绝缘膜；(i)形成电耦接到所述电极层中的每个的多个外部电极，以及(j)在步骤(i)之后，以覆盖所述外部电极的方式向所述主平面施加保护带。