[发明专利]一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201611119622.1 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106637350B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 周杰;冯波;尹露;翁杰;鲁雄;段可 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 林毓安 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，具体做法是：将金属钛表面用碳化硅砂纸逐级打磨并化学抛光，再用丙酮和去离子水清洗并干燥。配置电解液：在5vol％去离子水中加入氟化铵，充分溶解。将钼酸盐加入上述配置好的电解液中，搅拌10分钟后，加入95vol％的乙二醇，并在40℃下恒温磁力搅拌至完全溶解。将处理好的金属钛作为阳极，石墨片或铂片作为阴极，在恒定电压下阳极氧化，阳极氧化后的样品在无水乙醇中浸泡12小时，最后在去离子水中超声清洗并晾干，得到金属钛样品。将得到的金属钛样品放入程序控温的马弗炉，以5℃/分的恒定速度升温至400～550℃，保温3小时，随炉冷却至室温，即得钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜材料。用于光催化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，具体做法是：步骤一、将金属钛表面用碳化硅砂纸逐级打磨并化学抛光，再用丙酮、乙醇和去离子水清洗后，干燥，待用；步骤二、配制电解液：在体积百分比为5vol％去离子水中加入氟化铵，充分溶解；步骤三、将钼酸盐加入上述配制好的电解液中，搅拌10分钟后加入体积百分比为95vol％的乙二醇，并在40℃下恒温磁力搅拌5～30分钟至完全溶解；步骤四、将步骤一中处理好的金属钛作为阳极，石墨片或铂片作为阴极，在35～60V的恒定电压下阳极氧化0.5～2.5小时，阳极氧化后的样品在无水乙醇中浸泡12小时，最后在去离子水中超声清洗并晾干，得到金属钛样品；步骤五、将步骤四中所得的金属钛样品放入程序控温的马弗炉，以5℃/分的恒定速度升温至400～550℃，保温3小时，随炉冷却至室温，即得钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜材料。
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