[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201611119841.X | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107393865A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 陈威宇;杨天中;苏安治;陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。特别地，半导体器件包括位于顶封装件和再分布层(RDL)之间并且连接顶封装件和再分布层(RDL)的第一组贯通孔、第一组贯通孔与模塑料物理接触并且与管芯分离。半导体器件还包括位于顶封装件和RDL之间并且连接顶封装件和RDL的第一互连结构，第一互连结构通过模塑料与管芯和第一组贯通孔分离。第一互连结构包括第二组贯通孔和至少一个集成无源器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：再分布层(RDL)；管芯，设置在所述再分布层上；第一组贯通孔，位于顶衬底和所述再分布层之间并且连接所述顶衬底和所述再分布层，所述第一组贯通孔与模塑料物理接触并且通过所述模塑料与所述管芯分离；以及第一互连结构，位于所述顶衬底和所述再分布层之间并且连接所述顶衬底和所述再分布层，所述第一互连结构通过所述模塑料与所述管芯和所述第一组贯通孔分离，所述第一互连结构包括：至少一个无源器件；以及第二组贯通孔，位于所述第一互连结构内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
