[发明专利]化学水浴制备太阳能电池吸收层CuInS2薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种化学水浴制备太阳能电池吸收层CuInS2薄膜的方法。采用的技术方案是对衬底表面进行清洗，利用化学水浴沉积法，将衬底浸泡于硫化铟沉积液中，沉积5‑60min后得到硫化铟薄膜；利用化学水浴沉积法，将沉积有硫化铟薄膜的钼衬底浸泡于氧化亚铜沉积液中继续沉积一层氧化亚铜薄膜，沉积5‑60min后获得的In2S3/Cu2O前驱体；将获得的前驱体，置于硫气氛下进行退火制得所述的太阳能电池吸收层CIS薄膜。本发明提出了一种利用低成本、制备过程简单、成本低廉、制备周期短的化学水浴合成法制备新型Mo/In2S3/Cu2O前驱体，经过分步热处理得到吸收层薄膜。

主权项

一种化学水浴制备太阳能电池吸收层CuInS2薄膜的方法，其特征在于： 步骤一：对衬底表面进行清洗，利用化学水浴沉积法，将衬底浸泡于硫化铟（In2S3）沉积液中，沉积5‑60min后得到硫化铟薄膜； 步骤二：利用化学水浴沉积法，将沉积有硫化铟薄膜的钼（Mo）衬底浸泡于氧化亚铜（Cu2O）沉积液中继续沉积一层氧化亚铜（Cu2O）薄膜，沉积5‑60min后获得的In2S3/Cu2O前驱体； 步骤三：将获得的In2S3/Cu2O前驱体，置于硫（S）气氛下在密闭或者流通的管式炉内进行退火制得所述的太阳能电池吸收层CIS薄膜；步骤二中所述的氧化亚铜的沉积液，是指：先分别配置浓度分别为0.5M的硫酸铜，0.5M的抗坏血酸钠，0.5M二水合柠檬酸三钠，25%～28%的氨水溶液，分别取13mL的硫酸铜、7mL抗坏血酸钠、13 mL二水合柠檬酸三钠、0.7 mL氨水并加入26.3mL去离子水混合搅匀即可。