[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611121073.1 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106960813A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 周世培;卢祯发;卢玠甫;杜友伦;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括衬底，包括层间电介质(ILD)和设置在该ILD上方的硅层，其中ILD包括设置在其中的导电结构；设置在硅层上方的介电层；以及导电插塞，该导电插塞与导电结构电连接并且从介电层延伸穿过硅层至ILD，其中，导电插塞具有从介电层延伸至ILD的长度和沿该长度基本上一致的宽度。本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底，包括层间电介质和设置在所述层间电介质上方的硅层，其中，所述层间电介质包括设置在所述层间电介质中的导电结构；介电层，设置在所述硅层上方；以及导电插塞，与所述导电结构电连接并且从所述介电层延伸穿过所述硅层至所述层间电介质，其中，所述导电插塞具有从所述介电层延伸至所述层间电介质的长度和沿所述长度一致的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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