[发明专利]一种ITO基透明导电薄膜近红外波段透射增强的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611121607.0 申请日: 2016-12-08
公开(公告)号: CN106548929B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 洪瑞金;魏文左;蒙燕;陶春先;张大伟 申请(专利权)人: 上海理工大学
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 吴宝根
地址: 200093 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种近红外波段透射增强特性的ITO基透明导电薄膜的制备方法,将石英基片放置于镀膜夹具;在一定真空度及烘烤温度下,采用电子束蒸发法进行沉积镀膜,先后在石英基片上分别沉积ITO层和Cu层以形成Cu/ITO复合薄膜;将制备好的Cu/ITO复合薄膜放置于电子束辐照系统中,待真空室抽至一定真空度时,在一定功率下用电子束辐照轰击复合薄膜的表面一定时间使其改性,冷却即可得到所述具有近红外波段透射增强特性的Cu/ITO复合薄膜。本发明制备的Cu/ITO复合薄膜表现近红外波段透射增强,可通过控制电子束流大小及辐照时间控制其近红外透过率,操作方法及流程简单,可控性强。
搜索关键词: 一种 ito 透明 导电 薄膜 红外 波段 透射 增强 制备 方法
【主权项】:
1.一种近红外波段透射增强特性的ITO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:1)将石英基片放置于镀膜夹具中;2)在真空度均大于5×10‑4Pa、300~400℃烘烤的温度下,以20~40r/min的速率自转的石英基片上采用电子束蒸发法先沉积ITO层;待真空室温度降至室温时,再沉积Cu层以形成Cu/ITO复合薄膜;3)将制备好的Cu/ITO复合薄膜放置于电子束辐照系统中,待真空室抽至真空度大于5×10‑4Pa时,在100‑150W的功率下用电子束辐照轰击复合薄膜的表面5~30min使其改性,并冷却至室温即可得到近红外波段透射增强特性的ITO基透明导电薄膜。
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