[发明专利]一种ITO基透明导电薄膜近红外波段透射增强的制备方法有效
申请号: | 201611121607.0 | 申请日: | 2016-12-08 |
公开(公告)号: | CN106548929B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 洪瑞金;魏文左;蒙燕;陶春先;张大伟 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种近红外波段透射增强特性的ITO基透明导电薄膜的制备方法,将石英基片放置于镀膜夹具;在一定真空度及烘烤温度下,采用电子束蒸发法进行沉积镀膜,先后在石英基片上分别沉积ITO层和Cu层以形成Cu/ITO复合薄膜;将制备好的Cu/ITO复合薄膜放置于电子束辐照系统中,待真空室抽至一定真空度时,在一定功率下用电子束辐照轰击复合薄膜的表面一定时间使其改性,冷却即可得到所述具有近红外波段透射增强特性的Cu/ITO复合薄膜。本发明制备的Cu/ITO复合薄膜表现近红外波段透射增强,可通过控制电子束流大小及辐照时间控制其近红外透过率,操作方法及流程简单,可控性强。 | ||
搜索关键词: | 一种 ito 透明 导电 薄膜 红外 波段 透射 增强 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种近红外波段透射增强特性的ITO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:1)将石英基片放置于镀膜夹具中;2)在真空度均大于5×10‑4Pa、300~400℃烘烤的温度下,以20~40r/min的速率自转的石英基片上采用电子束蒸发法先沉积ITO层;待真空室温度降至室温时,再沉积Cu层以形成Cu/ITO复合薄膜;3)将制备好的Cu/ITO复合薄膜放置于电子束辐照系统中,待真空室抽至真空度大于5×10‑4Pa时,在100‑150W的功率下用电子束辐照轰击复合薄膜的表面5~30min使其改性,并冷却至室温即可得到近红外波段透射增强特性的ITO基透明导电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造