[发明专利]一种基于VGF法的InP晶体生长炉有效
| 申请号： | 201611122124.2 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106521615B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 杨翠柏;方聪;陈丙振 | 申请（专利权）人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 519085 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于VGF法的InP晶体生长炉，属于半导体晶体生长设备技术领域。本发明所述InP晶体生长炉包括：炉底座，炉壁，且炉底座与炉壁形成密闭空间，在炉底座开设通气口，在炉底座上表面固定连接有坩埚托，在坩埚托上方放置有坩埚，在坩埚托与坩埚外侧同轴放置有无底面的隔离筒，在隔离筒外周垂直方向间隔设置有多段加热元件，每段加热元件均固定有电极安装座，加热电极通过电极安装座与加热元件连接，并延伸至炉底座外部，且在每段加热元件底部均固定连接有加热器安装板。本发明中加热器安装板阻隔相邻加热元件之间的热对流及热辐射，使加热元件的加热温度保持稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 vgf inp 晶体生长 | ||
【主权项】：
一种基于VGF法的InP晶体生长炉，包括炉底座，炉壁，所述炉底座与所述炉壁形成密闭空间，所述炉底座开设通气口，所述炉底座上表面固定连接有坩埚托，所述坩埚托上方放置有坩埚，所述坩埚托与所述坩埚外侧同轴放置有无底面的隔离筒，所述隔离筒外周垂直方向间隔设置有多段加热元件，其特征在于，每段所述加热元件均固定有电极安装座，加热电极通过所述电极安装座与所述加热元件连接，并延伸至所述炉底座外部，在每段所述加热元件底部均固定连接有加热器安装板，用于隔离两个相邻的加热元件。
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