[发明专利]半导体结构及其操作方法有效
| 申请号： | 201611122194.8 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108183100B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李明颖;黄文聪;王世钰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，包括依序设置的第一重掺杂区、第一阱、第二阱、和第二重掺杂区。第一阱和第二重掺杂区具有第一导电类型。第二阱和第一重掺杂区具有第二导电类型。此种半导体结构还包括至少一开关，满足条件(A)和(B)的至少一项：(A)开关耦接在第一阱和第一节点之间，使得第一阱被开关所控制并在静电放电保护模式下浮接；及(B)开关耦接在第二阱和第二节点之间，使得第二阱被开关所控制并在静电放电保护模式下浮接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一阱，具有一第一导电类型；一第二阱，具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型，该第二阱耦接到该第一阱；一第一重掺杂区，具有该第二导电类型，该第一重掺杂区耦接到该第一阱，该第一重掺杂区耦接到一第一节点；一第二重掺杂区，具有该第一导电类型，该第二重掺杂区耦接到该第二阱，该第二重掺杂区耦接到一第二节点；以及至少一开关，满足下列条件(A)和(B)的至少一项：(A)该开关耦接在该第一阱和该第一节点之间，使得该第一阱被该开关所控制并在一静电放电保护模式下浮接；及(B)该开关耦接在该第二阱和该第二节点之间，使得该第二阱被该开关所控制并在一静电放电保护模式下浮接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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