[发明专利]一种多孔纳米二硫化三镍薄膜电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611122791.0 申请日: 2016-12-08
公开(公告)号: CN106683905B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 肖婷;李锦;谭新玉;向鹏;姜礼华 申请(专利权)人: 三峡大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 蒋悦
地址: 443002*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种直接生长在泡沫镍基底上的二硫化三镍薄膜电极及其制备方法,以泡沫镍为基底和镍源,以硫脲作为硫化剂,以乙二醇作为溶剂,通过简单的溶剂热法获得直接生长在泡沫镍表面的二硫化三镍薄膜电极。该制备方法具有工艺简单、成本低等优点,适合大规模工业化生产。本发明还公开了所述二硫化三镍电极的应用,所述二硫化三镍薄膜电极呈现多孔纳米结构,有利于材料与电解质充分接触;二硫化三镍以泡沫镍作为镍源生长,与基底结合非常牢固,有利于电荷的快速传递,因此得到的二硫化三镍具有很好的倍率性能和优异的循环稳定性,是理想的超级电容器电极材料。 1
搜索关键词: 硫化 镍薄膜 电极 制备 直接生长 泡沫镍 镍源 大规模工业化生产 超级电容器电极 多孔纳米结构 电解质 泡沫镍表面 循环稳定性 倍率性能 充分接触 多孔纳米 基底结合 泡沫镍基 溶剂热法 电荷 硫化剂 镍电极 乙二醇 溶剂 基底 硫脲 传递 生长 应用
【主权项】:
1.一种多孔纳米二硫化三镍薄膜电极的制备方法,其特征在于,该电极是以泡沫镍基底为镍源,以硫脲作为硫化剂,以乙二醇作为溶剂,通过溶剂热合成法获得,产物呈多孔纳米结构,且均匀沉积在泡沫镍基底表面,孔大小为10‑100nm,包括以下步骤:将泡沫镍依次用自来水、丙酮、稀盐酸、蒸馏水超声清洗干净并烘干;将摩尔浓度为10‑50mM的硫脲加入乙二醇中,搅拌至充分溶解,然后将所配溶液倒入反应釜内,将清洗干净的泡沫镍放入反应釜中,并放入恒温干燥箱,在180℃的恒温下加热7h后取出,再依次用去离子水和无水乙醇冲洗干净并自然晾干,即可得到多孔纳米二硫化三镍薄膜电极。
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