[发明专利]扇出型封装结构的制作方法在审
| 申请号： | 201611123239.3 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106531643A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 崔永涛;李志东;邱醒亚 | 申请（专利权）人： | 广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/027 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 周修文 |
| 地址： | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种扇出型封装结构的制作方法，包括以下步骤提供封装基板，使用液态油墨在封装基板上进行印刷，形成基板阻焊层；对基板阻焊层进行第一次曝光，曝光区域包括基板阻焊的设计位置区域和基板坝体的设计位置区域；使用液态油墨在基板阻焊层上进行印刷，形成坝体阻焊层；对坝体阻焊层进行第二次曝光，曝光区域包括基板坝体的设计位置区域；对封装基板进行显影处理和固化处理，得到基板阻焊和基板坝体；利用基板坝体贴装芯片。相对于现有技术采用干膜阻焊制作基板坝体，本发明采用液态油墨印刷基板阻焊层和坝体阻焊层，并通过一次显影处理和固化处理即可同时得到基板阻焊和基板坝体，基板坝体不易脱落，制作成本低，制作效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供封装基板，使用液态油墨在封装基板上进行印刷，形成基板阻焊层；对基板阻焊层进行第一次曝光，曝光区域包括基板阻焊的设计位置区域和基板坝体的设计位置区域；使用液态油墨在基板阻焊层上进行印刷，形成坝体阻焊层；对坝体阻焊层进行第二次曝光，曝光区域包括基板坝体的设计位置区域；对封装基板进行显影处理和固化处理，得到基板阻焊和基板坝体；利用基板坝体贴装芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
