[发明专利]微热导检测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201611123850.6 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108178122A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 冯飞;田博文;侯磊;李昕欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;G01N30/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微热导检测器及制备方法：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层（或埋氧层及第二介质层）释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本发明减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 微热 检测器 热敏电阻 网状结构 顶层硅 埋氧层 支撑层 制备 氧化硅/氮化硅 检测器芯片 三明治结构 玻璃 关键工艺 静电键合 灵活选择 性能要求 支撑结构 衬底硅 高掺杂 介质层 微沟槽 微沟道 微通道 形变 衬底 减小 晶格 刻蚀 两层 制作 薄膜 悬浮 释放 | ||
【主权项】：
1.一种微热导检测器，其特征在于：包括：SOI硅片，包括衬底硅、埋氧层以及顶层硅，所述SOI硅片中形成有微沟槽结构；由顶层硅‑第一介质薄膜‑热敏电阻‑第二介质薄膜形成的图形化堆叠结构，悬挂于所述SOI硅片的微沟槽结构中；带有微沟道的玻璃片，键合于所述SOI硅片的顶层硅，且使得所述图形化堆叠结构位于所述微沟道内；玻璃衬底，键合于所述SOI硅片的衬底硅。
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