[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611123975.9 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106856193A | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | S·施瓦布;H·哈特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件(100A)。半导体器件包括至少一个半导体部件(110)，其具有半导体衬底；以及阻挡层(120)，其设置在所述至少一个半导体部件(110)上面或其中一部分上，其中阻挡层(120)包括聚合材料以及与聚合材料共价结合的有机金属络合剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(100，200，300，400)，包括：至少一个或至少第一半导体部件(110)，包括半导体衬底；以及阻挡层(120，220，320)，至少设置在所述至少一个半导体部件(110)的部分上、所述至少一个半导体部件(110)的部分中或所述至少一个半导体部件(110)的部分处，其中所述阻挡层(120，220，320)包括聚合材料以及共价结合到所述聚合材料的有机金属络合剂。
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