[发明专利]一种场发射冷阴极及其制造方法有效
| 申请号： | 201611124177.8 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106653520B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 洪序达;梁栋;石伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01J19/24 | 分类号： | H01J19/24;H01J35/06;H01J9/02 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 陈宇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种场发射阴极的制造方法，所述方法包括：提供导电基板；在所述导电基板上涂覆石墨烯纳米片；在所述石墨烯纳米片表面沉积六方氮化硼纳米片。通过在导电基板上涂覆石墨烯纳米片，在所述石墨烯纳米片的表面沉积六方氮化硼纳米片，使得六方氮化硼纳米片与石墨烯纳米片之间形成稳定的复合纳米结构，降低了石墨烯的功函数，增加了石墨烯表面的局域电场，从而明显降低阴极的开启电场，提高其发射电流。并且，六方氮化硼纳米片部分阻止了石墨烯受到阳离子的轰击，提高了阴极的发射稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射阴极的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供导电基板；在所述导电基板上涂覆石墨烯纳米片；在所述石墨烯纳米片表面沉积六方氮化硼纳米片。
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