[发明专利]基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增强互补型HEMT及其制备方法有效
| 申请号： | 201611124457.9 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106654012B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;刘银涛;汪钰成;庞体强;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增强互补型HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底；在衬底下表面形成反射层；在衬底上表面形成隔离区；在衬底上表面形成源漏电极；在衬底上表面沿隔离区一侧的生长电子传输层；在衬底上表面沿隔离区另一侧的生长空穴传输层；在整个衬底上表面生长CH3NH3PbI3/PCBM材料形成光吸收层；在整个衬底上表面生长形成栅电极材料。本发明由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子或空穴，并在衬底上镀银形成反射层增强光的利用率，形成的HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能对孔洞和空位的填充，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，产生光生载流子，增强器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 ch3nh3pbi3 pcbm 材料 反射 增强 互补 hemt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增强互补型HEMT的制备方法，其特征在于，包括：选取蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底下表面形成反射层；在所述蓝宝石衬底上表面形成隔离区；在所述蓝宝石衬底上表面形成源漏电极；在所述蓝宝石衬底上表面沿所述隔离区一侧的生长电子传输层；在所述蓝宝石衬底上表面沿所述隔离区另一侧的生长空穴传输层；在整个衬底上表面生长CH3NH3PbI3/PCBM材料形成光吸收层；在整个衬底上表面生长形成栅电极材料，以形成所述反射增强互补型HEMT。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611124457.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：内包装盒（沂岸金丝茶）
- 下一篇：一种薄膜晶体管精细掩模板的制备方法及其应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
