[发明专利]Ga2O3/SiC异质结光电PNP晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种Ga2O3/SiC异质结光电PNP晶体管及其制备方法。该方法包括选取SiC衬底；分别生长P型SiC同质外延层形成集电区；在P型SiC同质外延层表面生长N型SiC同质外延层；在N型SiC同质外延层表面生长P型β‑Ga2O3异质外延层；在P型β‑Ga2O3异质外延层采用干法刻蚀形成发射区；N型同质外延层采用干法刻蚀形成基区，并在暴露出的P型同质外延层表面部分位置处生长第一金属材料形成集电极；在发射区表面生长第二金属材料形成发射极，最终形成Ga2O3/SiC异质结光电PNP晶体管。本发明的PNP晶体管使用两种不同的宽禁带材料构成异质结，其禁带宽度的不同及其材料特性使得本发明光电晶体管的光电增益大幅提高，提高光电晶体管将光信号转化为电信号的能力并提高器件可靠性。

主权项

一种Ga2O3/SiC异质结光电PNP晶体管的制备方法，其特征在于，包括：选取SiC衬底；在所述SiC衬底表面生长P型SiC同质外延层形成集电区；在所述P型SiC同质外延层表面生长N型SiC同质外延层；在所述N型SiC同质外延层表面生长P型β‑Ga2O3异质外延层；在所述P型β‑Ga2O3异质外延层通过干法刻蚀形成发射区；在所述N型SiC同质外延层通过干法刻蚀形成基区；并在暴露出的所述P型SiC同质外延层表面部分位置处生长第一金属材料形成集电极；在所述发射区表面生长第二金属材料形成发射极，最终形成所述Ga2O3/SiC异质结光电PNP晶体管。