[发明专利]基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底；形成FTO薄膜；制备CH₃NH₃PbI₃材料以形成第一光吸收层；在第一光吸收层表面形成第一电子传输层；在第一电子传输层表面形成源漏电极；在源漏电极及未被源漏电极覆盖的第一电子传输层表面形成第二电子传输层；在第二电子传输层表面制备CH₃NH₃PbI₃材料以形成第二光吸收层；在第二光吸收层表面形成栅电极，最终形成双向HEMT器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH₃NH₃PbI₃向沟道提供大量的电子，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。

主权项

1.一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的N型双向HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括：选取衬底；所述衬底为Al₂O₃材料，或者Si材料和SiO₂材料整体；在所述衬底表面形成FTO薄膜；所述FTO薄膜是将钛酸四丁酯加入至二次蒸馏水中搅拌后获取沉淀物，再将所述沉淀物加入二次蒸馏水和浓硝酸的混合液中搅拌后涂抹在所述衬底表面形成；利用单一涂抹法在所述FTO薄膜表面制备CH₃NH₃PbI₃材料以形成第一光吸收层；利用磁控溅射工艺在所述第一光吸收层表面形成第一电子传输层；利用磁控溅射工艺在所述第一电子传输层表面形成源电极和漏电极；利用磁控溅射工艺在所述源电极、所述漏电极及未被所述源电极和所述漏电极覆盖的所述第一电子传输层表面形成第二电子传输层；利用单一涂抹法在所述第二电子传输层表面制备CH₃NH₃PbI₃材料以形成第二光吸收层；利用磁控溅射工艺在所述第二光吸收层表面形成栅电极，最终形成所述双向HEMT器件。