[发明专利]一种三维结构高效有机薄膜传感器器件的制备方法在审

专利信息
申请号: 201611125633.0 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN106596653A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 王丽娟;孙洋;闫闯;张梁;孙丽晶;尹丽;张国军;唐甜甜 申请(专利权)人: 长春工业大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;B82Y30/00;B82Y40/00;B32B3/08;B32B9/00;B32B9/04;B32B27/06;B32B27/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130012 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明是一种三维结构高效有机薄膜传感器器件的制备方法,用覆盖氮化硅(Si3N4)绝缘层的PET作柔性衬底,用六联苯(p‑6P)薄膜做诱导层,在诱导层上采用双源同时真空沉积共生长六噻吩(α‑6T)和酞菁铜(CuPc)薄膜,构成共生长有机半导体层,然后真空蒸镀铝叉指电极构成三维结构高效有机薄膜传感器。一方面,由于酞菁铜(CuPc)填补了六噻吩(α‑6T)薄膜的空隙从而增大了薄膜的连续性和完整性;另一方面,由于六噻吩(α‑6T)三维生长特点,α‑6T薄膜部分是一种三维立体结构,测试气体可以与α‑6T薄膜的多个侧面反应,提高了有机薄膜传感器的灵敏度和响应度。
搜索关键词: 一种 三维 结构 高效 有机 薄膜 传感器 器件 制备 方法
【主权项】:
一种三维结构高效有机薄膜传感器的制备方法包括:PET柔性衬底(1),绝缘层(2),六联苯诱导层(3),共生长有机半导体层(4),铝叉指电极(5),共生长有机半导体层(4)由六噻吩(α‑6T)薄膜(6)、α‑6T缝隙间的酞菁铜(CuPc)薄膜(7)以及被CuPc覆盖的α‑6T薄膜(8)构成三维立体结构。
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