[发明专利]一种三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法有效
| 申请号： | 201611126275.5 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106744657B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 韩奕;李耀耀;宋禹忻;朱忠赟珅;张振普;曹春芳;王庶民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 悬臂结构 制备 应力分布 三维 尺度 全金属实体 三维微结构 理论计算 外延生长 微纳结构 聚合物 可控的 形变 导电 光刻 刻蚀 锗锡 生长 调控 | ||
【主权项】：
1.一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1根据所需得到的悬臂结构的三维结构，通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度；根据GeSn薄膜的应力分布和厚度，通过理论计算，设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分；S2利用外延技术在衬底材料上生长一层GeSn薄膜，通过Ge和Sn分子束的束流强度比例精确控制GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度，调控GeSn薄膜中的应力分布；衬底材料和GeSn薄膜之间设有一个缓冲层，所述缓冲层的材料为Ge；S3根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，将GeSn薄膜下方的缓冲层刻蚀成梯形，制作出向着Sn组分较少的一侧弯曲的GeSn微纳尺度悬臂结构。
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