[发明专利]一种同时表征微纳米成像测量仪器多种性能的方法有效
申请号: | 201611127233.3 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106767596B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 陈宇航;黄文浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G01B21/00 | 分类号: | G01B21/00;G01B11/00;G01B9/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种同时表征微纳米成像测量仪器多种性能的方法。首先,预备参考样块,该参考样块表面具有预先设定的三维尺寸的二维非周期编码光栅结构和渐变节距的栅线结构;随后,通过微纳米成像测量仪器对该参考样块表面进行扫描成像;最后,对扫描成像的结果进行分析处理,获得该微纳米成像测量仪器随时间的漂移值、分辨力以及xyz三个坐标方向上尺寸测量的校准系数。根据本发明的上述方法,能够方便的利用单个参考样块上实现对微纳米成像测量仪器的分辨力、xyz尺寸测量精度、时间稳定性等关键性能的表征和校准标定,并且具有漂移测量范围大、对比度高、不易受干扰等优点。 | ||
搜索关键词: | 微纳米成像 测量仪器 样块 漂移 尺寸测量 扫描成像 参考 分辨 时间稳定性 编码光栅 单个参考 分析处理 校准系数 栅线结构 非周期 校准 标定 渐变 二维 节距 三维 测量 预备 | ||
【主权项】:
1.一种同时表征微纳米成像测量仪器多种性能的方法,其特征在于,包括:(1)预备参考样块,该参考样块表面具有预先设定的三维尺寸的二维非周期编码光栅结构和渐变节距的栅线结构;(2)获得微纳米成像测量仪器对所述参考样块表面进行扫描而得到的扫描成像的结果;(3)对所述扫描成像的结果进行分析处理:通过对所述二维非周期编码光栅结构在不同时刻进行扫描测量,获得该微纳米成像测量仪器的时间稳定性表征;通过对所述渐变节距的栅线结构扫描测量,获得所述微纳米成像测量仪器的分辨力;通过对所述二维非周期编码光栅结构的光栅单元的宽度及高度,和/或所述栅线结构的节距及高度的扫描测量,并通过将实测尺寸和标称尺寸进行比较,获得xyz三个坐标方向上尺寸测量的校准系数;其中,所述二维非周期编码光栅结构包括具有预设台阶高度的光栅单元及基底高度的光栅单元,用于优化编码矩阵的互相关函数的对比度。
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