[发明专利]基于NAND flash的掉电保护方法和装置有效
| 申请号： | 201611128441.5 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108614744B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈诚 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/14 | 分类号： | G06F11/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种基于NAND flash的掉电保护方法，所述NAND flash包括MLC块和SLC块，所述MLC块的数据页包括MSB页和与其对应的LSB页，所述方法包括：执行对MLC块的写命令第一个写动作之前，判断当前待写数据页是否为MSB页；当判断出所述当前待写数据页是MSB页时，将所述当前待写数据页对应的LSB页的数据备份到SLC块中；执行对MLC块的写命令最后一个写动作之后，判断写入的最后一页是否为MSB页；当判断出所述写入的最后一页是MSB页时，将所述写入的最后一页对应的LSB页的数据备份到所述SLC块中。本发明实施例解决了MSB页因掉电而引起的LSB页读错误的问题，实现了保证LSB数据不受损坏，降低了数据存储过程中的出错概率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nand flash 掉电 保护 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于NAND flash的掉电保护方法，所述NAND flash包括MLC块和SLC块，所述MLC块的数据页包括MSB页和与其对应的LSB页，其特征在于，所述方法包括：执行对MLC块的写命令第一个写动作之前，判断当前待写数据页是否为MSB页；当判断出所述当前待写数据页是MSB页时，将所述当前待写数据页对应的LSB页的数据备份到SLC块中；执行对MLC块的写命令最后一个写动作之后，判断写入的最后一页是否为MSB页；当判断出所述写入的最后一页是MSB页时，将所述写入的最后一页对应的LSB页的数据备份到所述SLC块中。
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