[发明专利]单晶硅的制造方法在审
| 申请号： | 201611129253.4 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106906514A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 江头和幸;齐藤正夫 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 李志强,杨思捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 课题由一根单晶锭获取具有多个BMD密度范围的产品区域。解决手段从掺杂有氮的硅熔体中提拉单晶硅的方法，所述方法包括生长位于单晶硅的上部侧的第1产品区域(3c1)的工序，和生长与第1产品区域(3c1)相比位于单晶硅的下部侧、BMD密度的制造规格与第1产品区域(3c1)不同的第2产品区域(3c2)的工序。第2产品区域(3c2)中的BMD密度的制造规格的上限值和下限值分别大于第1产品区域(3c1)中的BMD密度的制造规格的上限值和下限值。在第1产品区域(3c1)的生长中，将单晶硅中的氧浓度控制在第1产品区域(3c1)中的BMD密度的制造规格的范围内，且在第2产品区域(3c2)的生长中，将单晶硅中的氧浓度控制在第2产品区域(3c2)中的BMD密度的制造规格的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
单晶硅的制造方法，其是基于从掺杂有氮的硅熔体中提拉单晶硅的提拉法的单晶硅的制造方法，其特征在于，包括：生长位于单晶硅的上部侧的第1产品区域的工序，和生长与上述第1产品区域相比位于上述单晶硅的下部侧、BMD密度的制造规格与上述第1产品区域不同的第2产品区域的工序，上述第2产品区域中的BMD密度的制造规格的上限值和下限值分别大于上述第1产品区域中的BMD密度的制造规格的上限值和下限值，在生长上述第1产品区域的工序中，将上述单晶硅中的氧浓度控制在上述第1产品区域中的BMD密度的制造规格的范围内，在生长上述第2产品区域的工序中，将上述单晶硅中的氧浓度控制在上述第2产品区域中的BMD密度的制造规格的范围内。
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