[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池在审
| 申请号： | 201611129475.6 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106449790A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；石墨烯层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极的栅线以外的位置；还包括减反层，所述减反层填充于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与石墨烯层接触。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可以促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子，同时也可以有效地减少正面电极栅线密度和宽度，降低遮光损失，提升短路电流、开路电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 砷化镓 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；石墨烯层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极的栅线以外的位置；还包括减反层，所述减反层填充于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与石墨烯层接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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