[发明专利]一种横向修剪缩微磁性隧道结图案的方法有效
| 申请号： | 201611129951.4 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108232005B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张云森;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向修剪缩微磁性隧道结图案的方法，包括：第一步骤：在底电极基底上依次形成磁性隧道结多层膜、硬掩模膜层和牺牲掩模膜层；第二步骤：形成磁性隧道结图案，并采用横向修剪工艺对磁性隧道结图案进行修剪缩微；第三步骤：对牺牲掩膜层和硬掩模膜层进行刻蚀，并采用横向修剪工艺对继续磁性隧道结图案进行修剪以获得更精细尺寸的磁性隧道结掩模；第四步骤：对磁性隧道结多层膜进行刻蚀，以完成磁性隧道结的小型化制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 修剪 缩微 磁性 隧道 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向修剪缩微磁性隧道结图案的方法，其特征在于包括：第一步骤：在底电极基底上依次形成磁性隧道结多层膜、硬掩模膜层和牺牲掩模膜层；第二步骤：形成磁性隧道结图案，并采用横向修剪工艺对磁性隧道结图案进行修剪缩微；第三步骤：对牺牲掩膜层和硬掩模膜层进行刻蚀，并采用横向修剪工艺对磁性隧道结图案继续进行修剪以获得更精细尺寸的磁性隧道结掩模；第四步骤：在硬掩膜的保护下对磁性隧道结多层膜进行刻蚀，以完成磁性隧道结的图案小型化制作。
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