[发明专利]柔性垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种柔性垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法，改变了传统的平面沟道有机薄膜晶体管的构型，使用垂直沟道构型极大的缩短了沟道长度，使得薄膜晶体管可以在较低的驱动电压下获得较大的源漏电流；使用无缺陷、具有高导电性及高透明度的石墨烯材料制备栅极，使得薄膜晶体管的电学性能更好；使用六方氮化硼材料制备栅极绝缘层，与石墨烯材料制备的栅极共同作用，提高了薄膜晶体管的电学性能，并且由于石墨烯材料与六方氮化硼材料均为弯折性能较好的二维原子层结构材料，同时沟道层采用具有柔性的有机半导体材料，使得整个有机薄膜晶体管的弯折性能得到大幅度提高，有利于有机薄膜晶体管在柔性OLED显示屏中的应用。

主权项

1.一种柔性垂直沟道有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一刚性基板(10)，在所述刚性基板(10)上形成一柔性衬底(11)，在所述柔性衬底(11)上形成栅极(20)；步骤2、在所述栅极(20)上形成栅极绝缘层(30)，所述栅极绝缘层(30)的尺寸小于所述栅极(20)的尺寸；在所述栅极绝缘层(30)上形成源极(40)，所述源极(40)的尺寸小于或等于所述栅极绝缘层(30)的尺寸；步骤3、在所述源极(40)上形成有机半导体层(50)，所述有机半导体层(50)的尺寸小于所述源极(40)的尺寸；在所述有机半导体层(50)上形成漏极(60)，所述漏极(60)的尺寸小于或等于所述有机半导体层(50)的尺寸；在所述源极(40)上形成与所述有机半导体层(50)间隔设置的源极接触电极(41)；在所述栅极(20)上形成与所述栅极绝缘层(30)间隔设置的栅极接触电极(21)；步骤4、将所述柔性衬底(11)从所述刚性基板(10)上剥离，得到一柔性垂直沟道有机薄膜晶体管(80)；所述栅极绝缘层(30)的材料为六方氮化硼。