[发明专利]一种确定致密储层天然气成藏期注入压力的方法有效
| 申请号： | 201611131126.8 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106499391B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 公言杰;赵孟军;冉启全;卓勤功;鲁雪松 | 申请（专利权）人： | 中国石油天然气股份有限公司 |
| 主分类号： | E21B49/00 | 分类号： | E21B49/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮;沈金辉 |
| 地址： | 100007 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种确定致密储层天然气成藏期注入压力的方法。该方法包括：明确研究致密储层天然气成藏的源岩和储层，规定致密储层天然气成藏中天然气运移方向为源岩指向储层；在致密储层天然气成藏中天然气运移方向上，通过天然气成藏剖面确定相邻的气层与干层或气层与水层；求得相邻的气层与干层或气层与水层的进汞门槛压力，并求其压力平均值；将致密储层天然气成藏的毛管压力与进汞门槛压力进行换算，即确定致密储层天然气成藏期的注入压力。本发明的上述确定方法是一种数据可靠、准确的天然气成藏期注入压力的确定方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 确定 致密 天然气 成藏期 注入 压力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种确定致密储层天然气成藏期注入压力的方法，其特征在于，该确定致密储层天然气成藏期注入压力的方法包括以下步骤：明确研究致密储层天然气成藏的源岩和储层，规定致密储层天然气成藏中天然气运移方向为源岩指向储层；在致密储层天然气成藏中天然气运移方向上，通过天然气成藏剖面确定相邻的气层与干层或气层与水层；求得相邻的气层与干层或气层与水层的进汞门槛压力，并求其压力平均值；将致密储层天然气成藏的毛管压力与进汞门槛压力的平均值进行换算，即确定致密储层天然气成藏期的注入压力；所述致密储层的空气渗透率小于1mD，致密储层的气层深度为5658‑5669m，厚度为11m，致密储层的底部水层的深度为5669‑5679m，厚度为10m；干层或水层靠近所述致密储层天然气成藏的源岩方向。
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