[发明专利]一种具有抑制寄生电容的方向性脑深部电极有效
申请号: | 201611131782.8 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106621035B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 马伯志 | 申请(专利权)人: | 北京品驰医疗设备有限公司;清华大学 |
主分类号: | A61N1/36 | 分类号: | A61N1/36;A61N1/05;B81B7/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种能抑制寄生电容的方向性脑深部电极,所述电极的远端的外表面设置有MEMS膜层;所述MEMS膜层包括多个电极触点,所述电极触点设置为全向电极触点或定向电极触点,任意相邻电极触点之间存在能够抑制寄生电容的间隔。本发明通过设置抑制寄生电容的间隔,极大的抑制了方向性脑深部电极多电极触点之间的寄生电容,保证了刺激效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 抑制 寄生 电容 方向性 脑深部 电极 | ||
【主权项】:
一种能抑制寄生电容的方向性深部脑电极,其特征在于:所述电极(1)的远端的外表面设置有MEMS膜层;所述MEMS膜层可由一层或多层金属物,一层或多层硅系阻隔物,和一层或多层聚合物形成;所述MEMS膜层形成多个电极触点(2),所述电极触点(2)设置为全向电极或定向电极,所述全向电极围绕所述电极(1)的大约整个圆周;所述定向电极围绕所述电极(1)的一部分圆周,所述定向电极可电连接成所述全向电极;任意相邻所述电极触点(2)之间存在能够抑制寄生电容的间隔(3)。
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