[发明专利]具有多个晶粒结构的覆晶封装二极管元件有效
| 申请号： | 201611132240.2 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108231699B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吴文湖;陈建武;赖锡标;林慧敏 | 申请（专利权）人： | 林慧敏 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/861;H01L21/56 |
| 代理公司： | 11549 北京德高行远知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨瑞 |
| 地址： | 中国台湾宜兰市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多个晶粒结构的覆晶封装二极管元件，其于一下导板的顶面水平向间隔设置至少两个覆晶，该两个覆晶底面分别与下导板电性连接，顶面分别设置有一导电层，且两个覆晶之间以及外周围填充有绝缘物质，使两个覆晶顶面的导电层彼此隔离而形成供外部电路电连接的第一电极及第二电极；通过上述结构，两个覆晶之间形成一串联回路，相较于传统多个芯片只能垂直向堆栈串联的封装方式，不但能降低二极管元件的高度，还能够根据耐压需求很方便地扩充覆晶数量，适合一般整流/保护型二极管元件，特别是高压二极管元件的覆晶封装。 | ||
| 搜索关键词： | 覆晶 二极管元件 覆晶封装 晶粒结构 导电层 顶面 高压二极管 串联回路 第二电极 第一电极 电性连接 封装方式 间隔设置 绝缘物质 外部电路 保护型 垂直向 电连接 水平向 下导板 导板 底面 堆栈 耐压 填充 串联 隔离 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种具有多个晶粒结构的覆晶封装二极管元件，其于一下导板的顶面水平向间隔设置至少一第一覆晶以及一第二覆晶，其特征在于：/n该第一覆晶及第二覆晶顶面分别设置有一导电层，该第一覆晶及第二覆晶分别为单向导通、底面为不同极向的单向覆晶，并且分别垂直向下堆栈设置有一个层迭覆晶，或分别垂直向下堆栈设置多个彼此之间相邻的电气连接面为不同极向的层迭覆晶；/n位于该第一覆晶与第二覆晶底面的两个层迭覆晶分别与该第一覆晶及第二覆晶彼此之间的电气连接面为不同极向，位于下导板上方的两个层迭覆晶底面分别以不同极向与该下导板电性连接；/n该第一覆晶及第二覆晶的外周围以及彼此之间填充有绝缘物质，使第一覆晶及第二覆晶顶面的导电层彼此隔离；/n该第一覆晶及第二覆晶顶面的导电层分别设置一锡台或金属层并裸露在绝缘物质外部，以做为供外部电路电连接的第一电极及第二电极；以及/n依序由该第一电极通过第一覆晶、一个或多个层迭覆晶、下导板、一个或多个层迭覆晶、第二覆晶到第二电极的电气传输路径为串联回路。/n
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