[发明专利]一种拼装型的掩模板装置有效
申请号: | 201611136315.4 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106544638B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 刘孔;曲胜春;王智杰;岳世忠;任宽宽;孙阳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C14/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种拼装型掩模板装置,包括若干掩模板、样品框架、掩模板压板、样品盖板、样品夹和样品压条,各部件可以通过螺丝、胶带、胶水或磁力等方式拼装连接到一起。本发明可以实现掩模板装置交叉重复使用,提高了设计和制作的灵活性。本掩模板装置能够实现高质量图形化薄膜的制备,同时本掩模板装置还可以适用于无规则形状样品以及不同沉积朝向的设备。 | ||
搜索关键词: | 一种 拼装 模板 装置 | ||
【主权项】:
1.一种拼装型掩模板装置,其特征在于,包括层叠的光化学刻蚀的不锈钢掩模板压板、掩模板、样品框架板和样品盖板,所述样品盖板、样品框架板、掩模板及掩模板压板通过螺丝和螺帽拼装连接,所述样品框架板设置样品槽,用于放置样品,样品槽边缘设置样品夹,用于固定形状不规则的样品;所述掩模板设置掩模图案,用于在样品上形成对应于掩膜图案的薄膜;所述掩模板由单个掩模板单元或者多个独立的掩模板单元构成,多个独立的掩模板单元呈二维阵列排布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611136315.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磁控溅射镀膜设备
- 下一篇:制备硬质合金基体金刚石涂层的预处理方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的