[发明专利]基于氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611136354.4 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN106505150A 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 游经碧;蒋琦;张兴旺 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。本发明提出利用氧化锡材料作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层,其因自身的优异特性能在与钙钛矿匹配时,更有利于电荷的转移,完全改善了钙钛矿太阳能电池中存在的滞后现象,获得准确真实、高效率的光电转换效率。另外,本发明还提出了基于氧化锡电子传输层的钙钛矿电池制备方法,可以有效制备得到具有滞后效应低、高效率的电池器件。
搜索关键词: 基于 氧化 电子 传输 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钙钛矿太阳能电池,包括自下而上依次的衬底、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和金属电极,其中,所述的衬底用于收集电子传输层的电子;所述的电子传输层用于传输所述钙钛矿吸收层的电子到衬底;所述的钙钛矿吸收层用于吸收太阳光能量产生电子‑空穴对;所述的空穴传输层用于传输所述钙钛矿吸收层的空穴到金属电极;所述的金属电极用于接收来自空穴传输层的空穴,并与来自衬底的电子复合,形成回路;其特征在于:所述的电子传输层的材料是氧化锡。
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