[发明专利]一种钨CMP工艺在审
| 申请号： | 201611137437.5 | 申请日： | 2016-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN106783728A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 顾祥;吴建伟;洪根深;曹利超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种钨CMP工艺，属于集成电路技术领域。其通过一次研磨、二次研磨和三次研磨获得研磨后的圆片，其中第一次、第二次的研磨浆slurry为氧化铝，第三次为水。本发明有效改善slurry残留问题，大幅节省工艺加工成本，可操作性非常强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 工艺 | ||
【主权项】：
一种钨CMP工艺，其特征是，包括以下步骤：(1)一次研磨：对钨圆片进行研磨，采用的研磨浆为氧化铝，研磨时间为25‑35s；(2)二次研磨：对步骤(1)所得圆片进行二次研磨，通过设备自行判断介质二氧化硅的终点时间，并且在研磨找到终点时间后，再加磨10‑15s，采用的研磨浆为氧化铝，总研磨时间为55‑65s；(3)三次研磨：对步骤(2)中所得圆片进行三次研磨，采用的研磨浆为水，研磨时间为20‑25s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
