[发明专利]CMOS图像传感器的像元结构、CMOS图像传感器及其成像方法有效

专利信息
申请号: 201611140237.5 申请日: 2016-12-12
公开(公告)号: CN106686324B 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 杨少华;刘璐;严明;李刚;郭明安;李斌康;甘泉 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 杨引雪
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 为了使CMOS图像传感器能够实现超高时间分辨连续成像,本发明提供了一种CMOS图像传感器的像元结构,每个像元包括一具有N个输出端口的光电二极管、N个存储装置、N个栅阀门和N个像元读出电路;所述N个存储装置的输入端通过N个栅阀门分别与所述光电二极管的N个输出端口相连;所述N个存储装置的输出端分别与所述N个像元读出电路相连。
搜索关键词: cmos 图像传感器 结构 及其 成像 方法
【主权项】:
1.CMOS图像传感器的像元结构,其特征在于:每个像元包括一具有N个输出端口的光电二极管、N个存储装置、N个栅阀门和N个像元读出电路;所述N个存储装置的输入端通过N个栅阀门分别与所述光电二极管的N个输出端口相连;所述N个存储装置的输出端分别与所述N个像元读出电路相连;所述存储装置包括多个CCD存储单元;所述N≥2。
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